반도체 물성 및 소자 2 - 3. MOS capacitor C-V 특성

• C - V 특성 곡선

• Tunneling 현상 : 이상적인 gate oxide는 전류가 흐르지 않지만, 실제의 절연막에서는 어느 정도의 누설전류가 발생.

 

- Tunneling을 사용하는 소자는  EEPROM으로 Flash Memory가 있다. 현재 반도체 산업이 점점 고도화됨에 따라 oxide 두께가 얇아지고 이에 누설전류가 발생한다. 따라서 HfO2와 같은 High - K 물질을 사용하여 두꺼운 두께에 SiO2와 같은 C를 얻어 Tunneling을 막을 수 있다.